Grundläggande Elektronik - Revision history

TimGremalm at 15:30, 10 March 2016

2016-03-10T15:30:10Z

← Older revision		Revision as of 17:30, 10 March 2016
Line 3:		Line 3:
	The English versions can be found here: [[File:Basic_electronics_-_English_version.zip]]		The English versions can be found here: [[File:Basic_electronics_-_English_version.zip]]

			En inspelning ifrån föreläsningen Grundläggande elektronik kan ses på youtube:
			[https://www.youtube.com/watch?v=jVdXyBDmXeI Basic Electronics, lecture 1 of 2 (2016-03-09)]

	=Grundläggande koncept=		=Grundläggande koncept=

Sterna at 22:00, 17 October 2014

2014-10-17T22:00:40Z

← Older revision		Revision as of 00:00, 18 October 2014
Line 1:		Line 1:
	Denna sida förklarar grundläggande koncept inom elektronik, samt ett flertal applikationer och lite tips och trix av erfarenhet. Här finns en sammanfattning (presentationerna som Sternå höll) av artikeln: [[File:Grundläggande_elektronik.zip]]		Denna sida förklarar grundläggande koncept inom elektronik, samt ett flertal applikationer och lite tips och trix av erfarenhet. Här finns en sammanfattning (presentationerna som Sternå höll) av artikeln: [[File:Grundläggande_elektronik.zip]]

			The English versions can be found here: [[File:Basic_electronics_-_English_version.zip]]

Sterna: /* Levelshifter */

2014-09-23T14:10:56Z

Levelshifter

← Older revision		Revision as of 16:10, 23 September 2014
Line 188:		Line 188:

	==Levelshifter==		==Levelshifter==
			Levelshifter är ett samlingsnamn för kretsar som ändrar nivån på en signal, typiskt logiksignal. Typexempel på användningsområde är två enheter som ska prata med varandra men använder olika spänningsnivåer (t.ex. 5V och 3V3). 5V- enheten kommer inte att tolka 3V3 som en etta 3V3-enheten kommer gå sönder om den får in 5V. Det finns ett antal olika sätt att lösa detta på, beroende på hur svårt problemet är.

	==Fotodiod/Transistor som sensor==		==Fotodiod/Transistor som sensor==

Sterna: /* Spänningsregulator (och IC) */

2014-09-23T14:01:56Z

Spänningsregulator (och IC)

← Older revision		Revision as of 16:01, 23 September 2014
Line 210:		Line 210:

	===Linjär===		===Linjär===
	En linjär spänningsregulator använder sig av bipolära transistorer för att reglera utspänningen. Detta är den vanligaste modellen och den enklaste att använda. De kan endast reglera spänningen neråt. De vanligaste modellerna är 78xx (där xx anger vilken spänning det är t.ex. 7805 för 5V eller 7833 för 3.3V) och 1117.<br>		En linjär spänningsregulator använder sig av bipolära transistorer för att reglera utspänningen. Detta är den vanligaste modellen och den enklaste att använda. De kan endast reglera spänningen neråt. De vanligaste modellerna är 78xx (där xx anger vilken spänning det är t.ex. 7805 för 5V, 7812 för 12V eller 7833 för 3.3V) och 1117 (som ofta heter 1117-xx, där xx anger vilken spänning det är).<br>
	Hur mycket ström man kan ta ut ur en linjär spänningsregulator beror på samma sak som hur mycket ström man kan dra igenom en transistor, d.v.s. hur mycket effektförluster det är regulatorn och hur mycket som kan kylas bort. Liksom för en transistor kommer det att bli ett visst spänningsfall som är skillnaden mellan inspänningen och utspänningen.		Hur mycket ström man kan ta ut ur en linjär spänningsregulator beror på samma sak som hur mycket ström man kan dra igenom en transistor, d.v.s. hur mycket effektförluster det är regulatorn och hur mycket som kan kylas bort. Liksom för en transistor kommer det att bli ett visst spänningsfall som är skillnaden mellan inspänningen och utspänningen.
			Att använda en linjär spänningsregulator är mycket enkelt. De flesta har 3 kontakter (ofta har de fler än 3 pinnar, men flera kan vara internt hopkopplade): In, Gnd och Ut. Du kopplar på din inspänning över in och gnd, och sedan tar du ut din utspänning över ut och gnd. Tänk på att du alltid bör ha kondingar på. Vanligen använder man en liten keramisk konding (t.ex. 100nF) på in- och utspänningen och sedan en större konding (t.ex. elektrolyt eller tantal på 100uF eller så). Allt beror på hur stora plötsliga laster du förväntar dig. Generellt sett är det bra att ha en för stor än en för liten. FÖr linjära med variabel spänning kopplar man vanligtvis in en spänningsdelning med två motstånd. Hur detta kopplas anges i databladet.

	===Switchad===		===Switchad===
			En switchad spänningsregulator är omvandlar spänningen genom att slå av och på en transistor (ofta FET) och ackumulera energin i en spole. Andra namn är Buck- (nedreglering) och boost- (uppregelring) omvandlare alternativt DC-DC-omvandlare eller step-down/up converter. Fördelen är att de är mycket effektivare och kan därför klara mycket högre strömmar med mycket mindre storlekar. Vanligtvis får man ut en effektivitet på över 90%. Nackdelen är att de är svårare att använda och dyrare. Enkelt sett består den av en FET, en diod och en induktans. Vad för kringkomponenter som behövs varierar från regulator till regulator, men vanligen behövs en spole och massa kapacitans. Ibland krävs en extern diod, och ibland t.o.m. en extern FET.

	==Styra motor==		==Styra motor==

Sterna: /* Strömmätning */

2014-09-23T13:47:17Z

Strömmätning

← Older revision		Revision as of 15:47, 23 September 2014
Line 171:		Line 171:
	*Se till att utslaget inte blir för stort för din mätutrustning. Om din ADC endast klarar 3.3V finns det en maxström du kan mäta. Troligen kommer dock ditt motstånd att gå sönder först av effektutvecklingen. Smart kan dock vara att ha clampingdioder på mätningsledaren.		*Se till att utslaget inte blir för stort för din mätutrustning. Om din ADC endast klarar 3.3V finns det en maxström du kan mäta. Troligen kommer dock ditt motstånd att gå sönder först av effektutvecklingen. Smart kan dock vara att ha clampingdioder på mätningsledaren.
	*Tänk på att strömmen kan anta negativt tecken (gå baklänges) i vissa fall (typiskt med en motor). Då kommer du att få in en negativ spännings på ADC, vilket kan vara dåligt. Detta löses med en clampingdiod.		*Tänk på att strömmen kan anta negativt tecken (gå baklänges) i vissa fall (typiskt med en motor). Då kommer du att få in en negativ spännings på ADC, vilket kan vara dåligt. Detta löses med en clampingdiod.
			*Ifall du ska mäta väldigt stora strömmar och vill undvika fysiskt stora motstånd finns det även andra typer av strömmätar-kretsar som använder sig av magnetfältet. Dessa kostar dock mycket mer än ett motstånd.

	==[http://en.wikipedia.org/wiki/Voltage_divider Spänningsdelning]==		==[http://en.wikipedia.org/wiki/Voltage_divider Spänningsdelning]==

Sterna: /* Linjär */

2014-09-18T08:49:16Z

Linjär

← Older revision		Revision as of 10:49, 18 September 2014
Line 210:		Line 210:
	===Linjär===		===Linjär===
	En linjär spänningsregulator använder sig av bipolära transistorer för att reglera utspänningen. Detta är den vanligaste modellen och den enklaste att använda. De kan endast reglera spänningen neråt. De vanligaste modellerna är 78xx (där xx anger vilken spänning det är t.ex. 7805 för 5V eller 7833 för 3.3V) och 1117.<br>		En linjär spänningsregulator använder sig av bipolära transistorer för att reglera utspänningen. Detta är den vanligaste modellen och den enklaste att använda. De kan endast reglera spänningen neråt. De vanligaste modellerna är 78xx (där xx anger vilken spänning det är t.ex. 7805 för 5V eller 7833 för 3.3V) och 1117.<br>
	Hur mycket ström man kan ta ut ur en linjär spänningsregulator beror på samma sak som hur mycket ström man kan dra igenom en transistor, d.v.s. hur mycket effektförluster det är regulatorn och hur mycket som kan kylas bort.		Hur mycket ström man kan ta ut ur en linjär spänningsregulator beror på samma sak som hur mycket ström man kan dra igenom en transistor, d.v.s. hur mycket effektförluster det är regulatorn och hur mycket som kan kylas bort. Liksom för en transistor kommer det att bli ett visst spänningsfall som är skillnaden mellan inspänningen och utspänningen.

	===Switchad===		===Switchad===

Sterna: /* Hur mycket ström klarar min transistor? */

2014-09-18T08:46:32Z

Hur mycket ström klarar min transistor?

← Older revision		Revision as of 10:46, 18 September 2014
Line 152:		Line 152:
	Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.		Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.
	Effektutvecklingen (power dissapation) beräknas på olika sätt för en FET och en BJT. En BJT har ett visst spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>) och beroende på strömmen genom den kan man beräkna effektutvecklingen som <math>P=u*i</math>, där <math>P</math> är effektutvecklingen, <math>u</math> är spänningsfallet från collector till emitter och <math>i</math> är strömmen från collector till emitter.		Effektutvecklingen (power dissapation) beräknas på olika sätt för en FET och en BJT. En BJT har ett visst spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>) och beroende på strömmen genom den kan man beräkna effektutvecklingen som <math>P=u*i</math>, där <math>P</math> är effektutvecklingen, <math>u</math> är spänningsfallet från collector till emitter och <math>i</math> är strömmen från collector till emitter.
	En FET har ett motstånd istället för ett spänningsfall. Med ohms lag kan man omvandla ovanstående ekvation till <math>P=i^2*r_{dson}</math> där <math>P</math> och <math>i</math> är samma sak som tidigare, men <math>r_{dson}</math> on-resistansen.		En FET har ett motstånd istället för ett spänningsfall. Med ohms lag kan man omvandla ovanstående ekvation till <math>P=i^2*r_{dson}</math> där <math>P</math> och <math>i</math> är samma sak som tidigare, men <math>r_{dson}</math> är on-resistansen.
	När man har effektuvecklingen kollar man i databladet efter den thermal resistance i databladet (eller det som kallas för C/W-rating) som anger hur mycket varmare en komponent blir till följd av effektutveckling. Det man ska titta på är junction-to-ambient. Detta är beroende på vilken kapsel komponenten har samt hur den är monterad. Vanligen antas att den sitter mot ett jordplan på ett vanligt kretskort. T.ex. Om en komponent har en C/W-rating 50 C/W kommer temperaturen att öka med 50 degc per watt effektuveckling i komponenten.		När man har effektuvecklingen kollar man i databladet efter den thermal resistance i databladet (eller det som kallas för C/W-rating) som anger hur mycket varmare en komponent blir till följd av effektutveckling. Det man ska titta på är junction-to-ambient. Detta är beroende på vilken kapsel komponenten har samt hur den är monterad. Vanligen antas att den sitter mot ett jordplan på ett vanligt kretskort. T.ex. Om en komponent har en C/W-rating 50 C/W kommer temperaturen att öka med 50 degc per watt effektuveckling i komponenten.
	När man vet hur varm komponenten kommer bli till följd av den ström man ska dra genom den går man till hur hög temperatur den klarar av (maximum ratings, operation temperature). Ibland anges även en maximum power dissapation, som man kan utgå från<br>		När man vet hur varm komponenten kommer bli till följd av den ström man ska dra genom den går man till hur hög temperatur den klarar av (maximum ratings, operation temperature). Ibland anges även en maximum power dissapation, som man kan utgå från<br>

Sterna: /* Hur mycket ström klarar min transistor? */

2014-09-18T08:40:52Z

Hur mycket ström klarar min transistor?

← Older revision		Revision as of 10:40, 18 September 2014
Line 152:		Line 152:
	Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.		Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.
	Effektutvecklingen (power dissapation) beräknas på olika sätt för en FET och en BJT. En BJT har ett visst spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>) och beroende på strömmen genom den kan man beräkna effektutvecklingen som <math>P=u*i</math>, där <math>P</math> är effektutvecklingen, <math>u</math> är spänningsfallet från collector till emitter och <math>i</math> är strömmen från collector till emitter.		Effektutvecklingen (power dissapation) beräknas på olika sätt för en FET och en BJT. En BJT har ett visst spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>) och beroende på strömmen genom den kan man beräkna effektutvecklingen som <math>P=u*i</math>, där <math>P</math> är effektutvecklingen, <math>u</math> är spänningsfallet från collector till emitter och <math>i</math> är strömmen från collector till emitter.
	En FET har ett motstånd istället för ett spänningsfall. Med ohms lag kan man omvandla ovanstående ekvation till <math>P=i^2*r_(dson)</math> där <math>P</math> och <math>i</math> är samma sak som tidigare, men </math>r_(dson)</math> on-resistansen.		En FET har ett motstånd istället för ett spänningsfall. Med ohms lag kan man omvandla ovanstående ekvation till <math>P=i^2*r_{dson}</math> där <math>P</math> och <math>i</math> är samma sak som tidigare, men <math>r_{dson}</math> on-resistansen.
	När man har effektuvecklingen kollar man i databladet efter den thermal resistance i databladet (eller det som kallas för C/W-rating) som anger hur mycket varmare en komponent blir till följd av effektutveckling. Det man ska titta på är junction-to-ambient. Detta är beroende på vilken kapsel komponenten har samt hur den är monterad. Vanligen antas att den sitter mot ett jordplan på ett vanligt kretskort. T.ex. Om en komponent har en C/W-rating 50 C/W kommer temperaturen att öka med 50 degc per watt effektuveckling i komponenten.		När man har effektuvecklingen kollar man i databladet efter den thermal resistance i databladet (eller det som kallas för C/W-rating) som anger hur mycket varmare en komponent blir till följd av effektutveckling. Det man ska titta på är junction-to-ambient. Detta är beroende på vilken kapsel komponenten har samt hur den är monterad. Vanligen antas att den sitter mot ett jordplan på ett vanligt kretskort. T.ex. Om en komponent har en C/W-rating 50 C/W kommer temperaturen att öka med 50 degc per watt effektuveckling i komponenten.
	När man vet hur varm komponenten kommer bli till följd av den ström man ska dra genom den går man till hur hög temperatur den klarar av (maximum ratings, operation temperature). Ibland anges även en maximum power dissapation, som man kan utgå från<br>		När man vet hur varm komponenten kommer bli till följd av den ström man ska dra genom den går man till hur hög temperatur den klarar av (maximum ratings, operation temperature). Ibland anges även en maximum power dissapation, som man kan utgå från<br>

Sterna: /* Transistorer */

2014-09-18T08:39:29Z

Transistorer

← Older revision		Revision as of 10:39, 18 September 2014
Line 148:		Line 148:

	Varför inte sätta feten nånstans i mitten? För att du inte är säker på vilka spänningsfall du kommer få i kretsen. Visst, om du kalibrerar bra kan du sätta en LED mot jord och en pfet ovanför den, så länge du sätter ett motstånd ovanför feten. Detta är dock underligt och görs sällan.		Varför inte sätta feten nånstans i mitten? För att du inte är säker på vilka spänningsfall du kommer få i kretsen. Visst, om du kalibrerar bra kan du sätta en LED mot jord och en pfet ovanför den, så länge du sätter ett motstånd ovanför feten. Detta är dock underligt och görs sällan.

			===Hur mycket ström klarar min transistor?===
			Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.
			Effektutvecklingen (power dissapation) beräknas på olika sätt för en FET och en BJT. En BJT har ett visst spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>) och beroende på strömmen genom den kan man beräkna effektutvecklingen som <math>P=u*i</math>, där <math>P</math> är effektutvecklingen, <math>u</math> är spänningsfallet från collector till emitter och <math>i</math> är strömmen från collector till emitter.
			En FET har ett motstånd istället för ett spänningsfall. Med ohms lag kan man omvandla ovanstående ekvation till <math>P=i^2*r_(dson)</math> där <math>P</math> och <math>i</math> är samma sak som tidigare, men </math>r_(dson)</math> on-resistansen.
			När man har effektuvecklingen kollar man i databladet efter den thermal resistance i databladet (eller det som kallas för C/W-rating) som anger hur mycket varmare en komponent blir till följd av effektutveckling. Det man ska titta på är junction-to-ambient. Detta är beroende på vilken kapsel komponenten har samt hur den är monterad. Vanligen antas att den sitter mot ett jordplan på ett vanligt kretskort. T.ex. Om en komponent har en C/W-rating 50 C/W kommer temperaturen att öka med 50 degc per watt effektuveckling i komponenten.
			När man vet hur varm komponenten kommer bli till följd av den ström man ska dra genom den går man till hur hög temperatur den klarar av (maximum ratings, operation temperature). Ibland anges även en maximum power dissapation, som man kan utgå från<br>
			====Exempel====
			En rejäl LED ska styras. Strömmen är satt till 2A. En FET ska användas. FETen har r<sub>ds(on)</sub> på 50mohm (en ganska bra FET). Detta innebär att effektutvecklingen kommer vara: <math>P=0.052^2=0.2 W</math>. Antag att det är SOT-23-FET. Just denna har C/W-rating på 100. Detta innebär att temperaturökningen kommer att vara 1000.2=20 degc. Vi antar att omgivande temperatur (ambient temperature, T<sub>A</sub>) är 25 degc (vilket man vanligen antar). Totalt kommer den att bli 45 degc varm. Den kan operera upp till 100 degc, alltså är det lugnt. Ur databladet kan man även läsa att power dissapation (P<sub>d</sub>) är 1.25W vid T<sub>A</sub>=25 degc.

	===Bör man använda BJT eller FET?===		===Bör man använda BJT eller FET?===
	FET är generellt det bättre valet, eftersom de generellt sett klarar mer ström då bra FETar har lägre förluster. Eftersom BJT har generellt sett minst 0.2 V spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>), vilket ger ganska stora effektförluster enligt P=I*U, medan bra FETar har on-resistans på 50mohm eller mindre (för stora BJTer anges ofta med en ekvivalent R<sub>ds,on</sub>, men detta är en s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Figure_of_merit#Deception figure of merit] som generellt sett inte är att lita på).		FET är generellt det bättre valet, eftersom de generellt sett klarar mer ström då bra FETar har lägre förluster. Eftersom BJT har generellt sett minst 0.2 V spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>), vilket ger ganska stora effektförluster enligt P=I*U, medan bra FETar har on-resistans på 50mohm eller mindre (för stora BJTer anges ofta med en ekvivalent R<sub>ds,on</sub>, men detta är en s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Figure_of_merit#Deception figure of merit] som generellt sett inte är att lita på).
	BJT är dock mycket snabbare än FETar, vilket är varför de används som högfrekvensförstärkare. BJTer klarar ofta högre spänning än FETar, men för riktigt höga spänningar ska man använda s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)] som kan klara flera kV, men är generellt sett mycket större och långsammare. BJT är även linjära, vilket innebär att de kan enklare styras analogt (vilket man dock inte ska göra).		BJT är dock mycket snabbare än FETar, vilket är varför de används som högfrekvensförstärkare. BJTer klarar ofta högre spänning än FETar, men för riktigt höga spänningar ska man använda s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)] som kan klara flera kV, men är generellt sett mycket större och långsammare. BJT är även linjära, vilket innebär att de kan enklare styras analogt (vilket man dock inte ska göra).

	~~===Hur mycket ström klarar min transistor?===~~
	Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.

	=Kretsar=		=Kretsar=

Sterna: /* Transistorer */

2014-09-18T07:58:26Z

Transistorer

← Older revision		Revision as of 09:58, 18 September 2014
Line 151:		Line 151:
	===Bör man använda BJT eller FET?===		===Bör man använda BJT eller FET?===
	FET är generellt det bättre valet, eftersom de generellt sett klarar mer ström då bra FETar har lägre förluster. Eftersom BJT har generellt sett minst 0.2 V spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>), vilket ger ganska stora effektförluster enligt P=I*U, medan bra FETar har on-resistans på 50mohm eller mindre (för stora BJTer anges ofta med en ekvivalent R<sub>ds,on</sub>, men detta är en s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Figure_of_merit#Deception figure of merit] som generellt sett inte är att lita på).		FET är generellt det bättre valet, eftersom de generellt sett klarar mer ström då bra FETar har lägre förluster. Eftersom BJT har generellt sett minst 0.2 V spänningsfall (V<sub>ceo(sat)</sub>), vilket ger ganska stora effektförluster enligt P=I*U, medan bra FETar har on-resistans på 50mohm eller mindre (för stora BJTer anges ofta med en ekvivalent R<sub>ds,on</sub>, men detta är en s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Figure_of_merit#Deception figure of merit] som generellt sett inte är att lita på).
	BJT är dock mycket snabbare än FETar, vilket är varför de används som högfrekvensförstärkare. BJTer klarar ofta högre spänning än FETar, men för riktigt höga spänningar ska man använda s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)] som kan klara flera kV. BJT är även linjära, vilket innebär att de kan enklare styras analogt (vilket man dock inte ska göra).		BJT är dock mycket snabbare än FETar, vilket är varför de används som högfrekvensförstärkare. BJTer klarar ofta högre spänning än FETar, men för riktigt höga spänningar ska man använda s.k. [http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)] som kan klara flera kV, men är generellt sett mycket större och långsammare. BJT är även linjära, vilket innebär att de kan enklare styras analogt (vilket man dock inte ska göra).

			===Hur mycket ström klarar min transistor?===
			Alla transistorer (både FET och BJT) klarar begränsat med ström. I databladet finns det alltid en angiven ström som den klarar. Detta är INTE hur mycket ström du alltid kan dra genom din komponent, utan hur mycket kislet klarar av. Det som är viktigt är hur mycket effektutveckling det sker i din transistor, hur varm den blir till följd av effektutvecklingen och hur hög temperatur den klarar.

	=Kretsar=		=Kretsar=